Negatron

14,000,000 Leading Edge Experts on the ideXlab platform

Scan Science and Technology

Contact Leading Edge Experts & Companies

Scan Science and Technology

Contact Leading Edge Experts & Companies

The Experts below are selected from a list of 360 Experts worldwide ranked by ideXlab platform

M Vukcevic - One of the best experts on this subject based on the ideXlab platform.

  • the influence of dissipation range power spectra and plasma wave polarization on cosmic ray scattering mean free path
    The Astrophysical Journal, 2010
    Co-Authors: R Schlickeiser, M Lazar, M Vukcevic
    Abstract:

    The influence of the polarization state and the dissipation range spectral steepening of slab plasma waves on the scattering mean free path of single-charged cosmic-ray particles is investigated in a turbulence model, where the crucial scattering of cosmic-ray particles with small pitch-angle cosines is caused by resonant cyclotron interactions with slab plasma waves. Analytical expressions for the mean free path of protons, antiprotons, Negatrons, and positrons are derived for the case of constant frequency-independent magnetic helicity values ? and different values of the dissipation range spectral index k for characteristic interplanetary and interstellar plasma conditions. The positron mean free path is not affected by the dissipation range spectral index k as these particles can only cyclotron-resonate for rigidity values larger than R 0 = mpc = 938?MV. Proton and antiproton mean free paths are only slightly affected by the dissipation range spectral index k at small rigidities R < R 0. The Negatron mean free path is severely affected by the dissipation range spectral index k at rigidities smaller than R 0. At high rigidities R R 0, all particle species approach the same power-law dependence R 2?s determined by the inertial range spectral index s = 5/3. The magnetic helicity value ? affects the value of the mean free path. At all rigidities, the ratio of the antiproton to proton mean free paths equals the constant (1 + ?)/(1 ? ?), which also agrees with the ratio of the Negatron to the proton and positron mean free paths at relativistic rigidities. At relativistic rigidities the positron and proton mean free paths agree, as do the Negatron and antiproton mean free paths.

Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych - One of the best experts on this subject based on the ideXlab platform.

  • Microstrip antenna with c-Negatron
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014
    Co-Authors: Кіслова, Надія Михайлівна, Лазарев, Александр Александрович, Войцеховська, Олена Валеріївна, Філинюк, Микола Антонович, Войцеховская, Елена Валериевна, Филинюк, Николай Антонович, Лазарев, Олександр Олександрович, Кислова, Надежда Михайловна, Kislova, Nadia Mykhailivna, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Мікросмугова антена з С-негатроном містить діелектричну підкладку, на одній стороні якої розміщений металевий екран, а на другій - мікросмуговий випромінювач, що з'єднаний електрично. В неї введено генератор, котушку індуктивності, від'ємна ємність реалізована на двох польових транзисторах, двох резисторах та конденсаторі, перша вхідна клема з'єднана з витоком першого транзистора, стік якого з'єднаний з конденсатором та з загальною шиною, перший транзистор, стік якого з'єднаний з першим резистором та з затвором другого транзистора, витік якого з'єднаний з загальною шиною, затвор першого транзистора з'єднаний з стоком другого транзистора, затвор якого з'єднаний з другим резистором та з першою вхідною клемою, друга вхідна клема з'єднана з загальною шиною.Микрополосковая антенна с С-негатроном содержит диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен металлический экран, а на второй - микрополосковый излучатель, который соединен электрически. В нее введены генератор, катушка индуктивности, отрицательная емкость, реализованная на двух полевых транзисторах, двух резисторах и конденсаторе, первая входная клемма соединена с истоком первого транзистора, сток которого соединен с конденсатором и с общей шиной, первый транзистор, сток которого соединен с первым резистором и с затвором второго транзистора, исток которого соединен с общей шиной, затвор первого транзистора соединен с стоком второго транзистора, затвор которого соединен со вторым резистором и с первой входной клеммой, вторая входная клемма соединена с общей шинойA microstrip antenna with C-Negatron comprises a dielectric substrate, on one side of which a metallic screen is positioned, on the other side – a microstrip radiator, which is electrically connected. A generator, an inductance coil, a negative capacitor are introduced to the microstrip antenna, the capacitor is based on two field-effect transistors, two resistors and the capacitor, first input terminal is connected to source of first transistor, drain of which is connected to the capacitor and common bus, first transistor, drain of which is connected to first resistor and gate of second transistor, source of which is connected to the common bus, gate of first transistor is connected to the drain of second transistor, whose gate is connected to the second resistor and first input terminal, the second input terminal is connected to the common bus

  • SERIES SWITCHING DEVICE BASED ON N-TYPE C-Negatron
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2013
    Co-Authors: Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Войцеховська, Олена Валеріївна, Філинюк, Микола Антонович, Войцеховская, Елена Валериевна, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych, Филинюк, Николай Антонович, Azarova, Olena Valeriivna, Filyniuk, Mykola Antonovych
    Abstract:

    Послідовний комутатор на С-негатроні N-типу містить дві котушки індуктивності, загальну шину, три конденсатори, вхідну клему, вихідну клему, клему керування та С-негатрон N-типу.Последовательный коммутатор на С-негатроне N-типа содержит две катушки индуктивности, общую шину, три конденсатора, входную клемму, выходную клемму, клемму управления и С-негатрон N-типа.A series switching device based on an N-type C-Negatron comprises two inductance coils, a common bus, three capacitances, an input terminal, an output terminal, a control terminal and N-type C-Negatron

  • C-Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на С-негатроні містить джерело живлення, фотодіоди, тиристор, С-негатрон, конденсатор.Нейронный элемент на С-негатроне содержит источник питания, фотодиоды, тиристор, С-негатрон, конденсатор.A C-Negatron-based neuron element comprises a power supply source, photodiodes, a thyristor, C-Negatron, a condenser

  • Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на негатроні містить світлодіод, джерело живлення з'єднане з катодом першого фотодіода, анод якого з'єднаний з катодом другого фотодіода, з першим виводом конденсатора, причому введено одноперехідний транзистор, другу базу якого з'єднано із джерелом живлення, першу базу одноперехідного транзистора з'єднано з анодом вихідного світлодіода, емітер одноперехідного транзистора з'єднано з першим виводом конденсатора, а також з анодом першого фотодіода, та з катодом другого фотодіода.Нейронный элемент на негатроне содержит светодиод, источник питания соединен с катодом первого фотодиода, анод которого соединен с катодом второго фотодиода, с первым выводом конденсатора, причем введен однопереходный транзистор, вторая база которого соединена с источником питания, первая база однопереходного транзистора соединена с анодом выходного светодиода, эмиттер однопереходного транзистора соединен с первым выводом конденсатора, а также с анодом первого фотодиода, и с катодом второго фотодиода.A Negatron-based neuron element comprises a light-emitting diode, a power supply source connected to a cathode of the first photodiode, which anode is connected to a cathode of the second photodiode, to the first condenser output, and a unijunction transistor is introduced, which the second base is connected to a power supply source, the first base of the unijunction transistor is connected to the anode of the output light-emitting diode, the emitter of the unijunction transistor is connected to the first capacitor lead as well as to the anode of the first photodiode and to the cathode of the second photodiode

  • R-Negatron neural element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Prykmeta, Andrii Volodymyrovych, Bondariuk, Denys Volodymyrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на R-негатронах містить джерело живлення, яке з'єднано з катодом першого фотодіода, анод якого з'єднано з катодом другого фотодіода, анод другого фотодіода з'єднано з негативним полюсом джерела живлення, причому до нього введено перший польовий транзистор, стік якого з'єднаний із джерелом живлення, витік першого польового транзистора з'єднаний з витоком другого польового транзистора, затвор першого польового транзистора з'єднаний зі стоком другого польового транзистора та зі стоком третього польового транзистора, затвор другого польового транзистора з'єднано з джерелом живлення, витік третього польового транзистора з'єднано з витоком четвертого польового транзистора, стік четвертого польового транзистора з'єднано з негативним полюсом джерела живлення, затвор третього польового транзистора з'єднано з анодом другого фотодіода, затвор четвертого польового транзистора з'єднано зі стоком другого польового транзистора, анод першого фотодіода з'єднано зі стоком третього польового транзистора та з потенціальним виходом.Нейронный элемент на R-негатронах содержит источник питания, соединенный с катодом первого фотодиода, анод которого соединен с катодом второго фотодиода, анод второго фотодиода соединен с отрицательным полюсом источника питания, причем в него введен первый полевой транзистор, сток которого соединен с источником питания, исток первого полевого транзистора соединен с истоком второго полевого транзистора, затвор первого полевого транзистора соединен со стоком второго полевого транзистора и со стоком третьего полевого транзистора, затвор второго полевого транзистора соединен с источником питания, исток третьего полевого транзистора соединен с истоком четвертого полевого транзистора, сток четвертого полевого транзистора соединен с отрицательным полюсом источника питания, затвор третьего полевого транзистора соединен с анодом второго фотодиода, затвор четвертого полевого транзистора соединен со стоком второго полевого транзистора, анод первого фотодиода соединен со стоком третьего полевого транзистора и с потенциальным выходом.An R-Negatron neural element comprises a power source connected to cathode of first photodiode which anode is connected to cathode of second photodiode, which anode is connected to negative terminal of power source. It comprises first field transistor which drain region is connected to power supply, source region of first field transistor is connected to source region of second field transistor, gate region of first field transistor is connected to drain region of second field transistor and to drain region of third field transistor, gate region of second field transistor is connected to power supply, source region of third field transistor is connected to source region of fourth field transistor, drain region of fourth field transistor is connected to negative terminal of power source, gate region of third field transistor is connected to anode of second photodiode, gate region of fourth field transistor is connected to drain region of second field transistor, anode of the fist photodiode is connected to drain region of third field transistor and to potential output

Філинюк, Микола Антонович - One of the best experts on this subject based on the ideXlab platform.

  • Microstrip antenna with c-Negatron
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014
    Co-Authors: Кіслова, Надія Михайлівна, Лазарев, Александр Александрович, Войцеховська, Олена Валеріївна, Філинюк, Микола Антонович, Войцеховская, Елена Валериевна, Филинюк, Николай Антонович, Лазарев, Олександр Олександрович, Кислова, Надежда Михайловна, Kislova, Nadia Mykhailivna, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Мікросмугова антена з С-негатроном містить діелектричну підкладку, на одній стороні якої розміщений металевий екран, а на другій - мікросмуговий випромінювач, що з'єднаний електрично. В неї введено генератор, котушку індуктивності, від'ємна ємність реалізована на двох польових транзисторах, двох резисторах та конденсаторі, перша вхідна клема з'єднана з витоком першого транзистора, стік якого з'єднаний з конденсатором та з загальною шиною, перший транзистор, стік якого з'єднаний з першим резистором та з затвором другого транзистора, витік якого з'єднаний з загальною шиною, затвор першого транзистора з'єднаний з стоком другого транзистора, затвор якого з'єднаний з другим резистором та з першою вхідною клемою, друга вхідна клема з'єднана з загальною шиною.Микрополосковая антенна с С-негатроном содержит диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен металлический экран, а на второй - микрополосковый излучатель, который соединен электрически. В нее введены генератор, катушка индуктивности, отрицательная емкость, реализованная на двух полевых транзисторах, двух резисторах и конденсаторе, первая входная клемма соединена с истоком первого транзистора, сток которого соединен с конденсатором и с общей шиной, первый транзистор, сток которого соединен с первым резистором и с затвором второго транзистора, исток которого соединен с общей шиной, затвор первого транзистора соединен с стоком второго транзистора, затвор которого соединен со вторым резистором и с первой входной клеммой, вторая входная клемма соединена с общей шинойA microstrip antenna with C-Negatron comprises a dielectric substrate, on one side of which a metallic screen is positioned, on the other side – a microstrip radiator, which is electrically connected. A generator, an inductance coil, a negative capacitor are introduced to the microstrip antenna, the capacitor is based on two field-effect transistors, two resistors and the capacitor, first input terminal is connected to source of first transistor, drain of which is connected to the capacitor and common bus, first transistor, drain of which is connected to first resistor and gate of second transistor, source of which is connected to the common bus, gate of first transistor is connected to the drain of second transistor, whose gate is connected to the second resistor and first input terminal, the second input terminal is connected to the common bus

  • SERIES SWITCHING DEVICE BASED ON N-TYPE C-Negatron
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2013
    Co-Authors: Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Войцеховська, Олена Валеріївна, Філинюк, Микола Антонович, Войцеховская, Елена Валериевна, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych, Филинюк, Николай Антонович, Azarova, Olena Valeriivna, Filyniuk, Mykola Antonovych
    Abstract:

    Послідовний комутатор на С-негатроні N-типу містить дві котушки індуктивності, загальну шину, три конденсатори, вхідну клему, вихідну клему, клему керування та С-негатрон N-типу.Последовательный коммутатор на С-негатроне N-типа содержит две катушки индуктивности, общую шину, три конденсатора, входную клемму, выходную клемму, клемму управления и С-негатрон N-типа.A series switching device based on an N-type C-Negatron comprises two inductance coils, a common bus, three capacitances, an input terminal, an output terminal, a control terminal and N-type C-Negatron

  • C-Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на С-негатроні містить джерело живлення, фотодіоди, тиристор, С-негатрон, конденсатор.Нейронный элемент на С-негатроне содержит источник питания, фотодиоды, тиристор, С-негатрон, конденсатор.A C-Negatron-based neuron element comprises a power supply source, photodiodes, a thyristor, C-Negatron, a condenser

  • Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на негатроні містить світлодіод, джерело живлення з'єднане з катодом першого фотодіода, анод якого з'єднаний з катодом другого фотодіода, з першим виводом конденсатора, причому введено одноперехідний транзистор, другу базу якого з'єднано із джерелом живлення, першу базу одноперехідного транзистора з'єднано з анодом вихідного світлодіода, емітер одноперехідного транзистора з'єднано з першим виводом конденсатора, а також з анодом першого фотодіода, та з катодом другого фотодіода.Нейронный элемент на негатроне содержит светодиод, источник питания соединен с катодом первого фотодиода, анод которого соединен с катодом второго фотодиода, с первым выводом конденсатора, причем введен однопереходный транзистор, вторая база которого соединена с источником питания, первая база однопереходного транзистора соединена с анодом выходного светодиода, эмиттер однопереходного транзистора соединен с первым выводом конденсатора, а также с анодом первого фотодиода, и с катодом второго фотодиода.A Negatron-based neuron element comprises a light-emitting diode, a power supply source connected to a cathode of the first photodiode, which anode is connected to a cathode of the second photodiode, to the first condenser output, and a unijunction transistor is introduced, which the second base is connected to a power supply source, the first base of the unijunction transistor is connected to the anode of the output light-emitting diode, the emitter of the unijunction transistor is connected to the first capacitor lead as well as to the anode of the first photodiode and to the cathode of the second photodiode

  • Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на негатроні містить світлодіод, резистори, джерело живлення, фотодіоди, конденсатори, тиристор, електричний вихід пристрою, програмований одноперехідний транзистор.Нейронный элемент на негатроне содержит светодиод, резисторы, источник питания, фотодиоды, конденсаторы, тиристор, электрический выход устройства, программируемый однопереходный транзистор.A Negatron-based neuron element comprises a light-emitting diode, a resistor, a power supply source, photodiodes, condensers, a thyristor, an electric device output, a programmable unijunction transistor

Филинюк, Николай Антонович - One of the best experts on this subject based on the ideXlab platform.

  • ИМИТАНСНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА L-НЕГАТРОНАХ
    Інформаційно-вимірювальних технологій електроніки та інженерії, 2019
    Co-Authors: Покотылюк, Леся Игоревна, Филинюк, Николай Антонович
    Abstract:

    Imitans logic elements for L-Negatron were designed in the given scientific work. There are imitans logic elements for L-Negatron were studied, technical implementation imitans logic elements were developed, computer simulation were carried out and the layout board were designed

  • Microstrip antenna with c-Negatron
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014
    Co-Authors: Кіслова, Надія Михайлівна, Лазарев, Александр Александрович, Войцеховська, Олена Валеріївна, Філинюк, Микола Антонович, Войцеховская, Елена Валериевна, Филинюк, Николай Антонович, Лазарев, Олександр Олександрович, Кислова, Надежда Михайловна, Kislova, Nadia Mykhailivna, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Мікросмугова антена з С-негатроном містить діелектричну підкладку, на одній стороні якої розміщений металевий екран, а на другій - мікросмуговий випромінювач, що з'єднаний електрично. В неї введено генератор, котушку індуктивності, від'ємна ємність реалізована на двох польових транзисторах, двох резисторах та конденсаторі, перша вхідна клема з'єднана з витоком першого транзистора, стік якого з'єднаний з конденсатором та з загальною шиною, перший транзистор, стік якого з'єднаний з першим резистором та з затвором другого транзистора, витік якого з'єднаний з загальною шиною, затвор першого транзистора з'єднаний з стоком другого транзистора, затвор якого з'єднаний з другим резистором та з першою вхідною клемою, друга вхідна клема з'єднана з загальною шиною.Микрополосковая антенна с С-негатроном содержит диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен металлический экран, а на второй - микрополосковый излучатель, который соединен электрически. В нее введены генератор, катушка индуктивности, отрицательная емкость, реализованная на двух полевых транзисторах, двух резисторах и конденсаторе, первая входная клемма соединена с истоком первого транзистора, сток которого соединен с конденсатором и с общей шиной, первый транзистор, сток которого соединен с первым резистором и с затвором второго транзистора, исток которого соединен с общей шиной, затвор первого транзистора соединен с стоком второго транзистора, затвор которого соединен со вторым резистором и с первой входной клеммой, вторая входная клемма соединена с общей шинойA microstrip antenna with C-Negatron comprises a dielectric substrate, on one side of which a metallic screen is positioned, on the other side – a microstrip radiator, which is electrically connected. A generator, an inductance coil, a negative capacitor are introduced to the microstrip antenna, the capacitor is based on two field-effect transistors, two resistors and the capacitor, first input terminal is connected to source of first transistor, drain of which is connected to the capacitor and common bus, first transistor, drain of which is connected to first resistor and gate of second transistor, source of which is connected to the common bus, gate of first transistor is connected to the drain of second transistor, whose gate is connected to the second resistor and first input terminal, the second input terminal is connected to the common bus

  • SERIES SWITCHING DEVICE BASED ON N-TYPE C-Negatron
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2013
    Co-Authors: Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Войцеховська, Олена Валеріївна, Філинюк, Микола Антонович, Войцеховская, Елена Валериевна, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych, Филинюк, Николай Антонович, Azarova, Olena Valeriivna, Filyniuk, Mykola Antonovych
    Abstract:

    Послідовний комутатор на С-негатроні N-типу містить дві котушки індуктивності, загальну шину, три конденсатори, вхідну клему, вихідну клему, клему керування та С-негатрон N-типу.Последовательный коммутатор на С-негатроне N-типа содержит две катушки индуктивности, общую шину, три конденсатора, входную клемму, выходную клемму, клемму управления и С-негатрон N-типа.A series switching device based on an N-type C-Negatron comprises two inductance coils, a common bus, three capacitances, an input terminal, an output terminal, a control terminal and N-type C-Negatron

  • C-Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на С-негатроні містить джерело живлення, фотодіоди, тиристор, С-негатрон, конденсатор.Нейронный элемент на С-негатроне содержит источник питания, фотодиоды, тиристор, С-негатрон, конденсатор.A C-Negatron-based neuron element comprises a power supply source, photodiodes, a thyristor, C-Negatron, a condenser

  • Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на негатроні містить світлодіод, джерело живлення з'єднане з катодом першого фотодіода, анод якого з'єднаний з катодом другого фотодіода, з першим виводом конденсатора, причому введено одноперехідний транзистор, другу базу якого з'єднано із джерелом живлення, першу базу одноперехідного транзистора з'єднано з анодом вихідного світлодіода, емітер одноперехідного транзистора з'єднано з першим виводом конденсатора, а також з анодом першого фотодіода, та з катодом другого фотодіода.Нейронный элемент на негатроне содержит светодиод, источник питания соединен с катодом первого фотодиода, анод которого соединен с катодом второго фотодиода, с первым выводом конденсатора, причем введен однопереходный транзистор, вторая база которого соединена с источником питания, первая база однопереходного транзистора соединена с анодом выходного светодиода, эмиттер однопереходного транзистора соединен с первым выводом конденсатора, а также с анодом первого фотодиода, и с катодом второго фотодиода.A Negatron-based neuron element comprises a light-emitting diode, a power supply source connected to a cathode of the first photodiode, which anode is connected to a cathode of the second photodiode, to the first condenser output, and a unijunction transistor is introduced, which the second base is connected to a power supply source, the first base of the unijunction transistor is connected to the anode of the output light-emitting diode, the emitter of the unijunction transistor is connected to the first capacitor lead as well as to the anode of the first photodiode and to the cathode of the second photodiode

Лазарев, Александр Александрович - One of the best experts on this subject based on the ideXlab platform.

  • Microstrip antenna with c-Negatron
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014
    Co-Authors: Кіслова, Надія Михайлівна, Лазарев, Александр Александрович, Войцеховська, Олена Валеріївна, Філинюк, Микола Антонович, Войцеховская, Елена Валериевна, Филинюк, Николай Антонович, Лазарев, Олександр Олександрович, Кислова, Надежда Михайловна, Kislova, Nadia Mykhailivna, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Мікросмугова антена з С-негатроном містить діелектричну підкладку, на одній стороні якої розміщений металевий екран, а на другій - мікросмуговий випромінювач, що з'єднаний електрично. В неї введено генератор, котушку індуктивності, від'ємна ємність реалізована на двох польових транзисторах, двох резисторах та конденсаторі, перша вхідна клема з'єднана з витоком першого транзистора, стік якого з'єднаний з конденсатором та з загальною шиною, перший транзистор, стік якого з'єднаний з першим резистором та з затвором другого транзистора, витік якого з'єднаний з загальною шиною, затвор першого транзистора з'єднаний з стоком другого транзистора, затвор якого з'єднаний з другим резистором та з першою вхідною клемою, друга вхідна клема з'єднана з загальною шиною.Микрополосковая антенна с С-негатроном содержит диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен металлический экран, а на второй - микрополосковый излучатель, который соединен электрически. В нее введены генератор, катушка индуктивности, отрицательная емкость, реализованная на двух полевых транзисторах, двух резисторах и конденсаторе, первая входная клемма соединена с истоком первого транзистора, сток которого соединен с конденсатором и с общей шиной, первый транзистор, сток которого соединен с первым резистором и с затвором второго транзистора, исток которого соединен с общей шиной, затвор первого транзистора соединен с стоком второго транзистора, затвор которого соединен со вторым резистором и с первой входной клеммой, вторая входная клемма соединена с общей шинойA microstrip antenna with C-Negatron comprises a dielectric substrate, on one side of which a metallic screen is positioned, on the other side – a microstrip radiator, which is electrically connected. A generator, an inductance coil, a negative capacitor are introduced to the microstrip antenna, the capacitor is based on two field-effect transistors, two resistors and the capacitor, first input terminal is connected to source of first transistor, drain of which is connected to the capacitor and common bus, first transistor, drain of which is connected to first resistor and gate of second transistor, source of which is connected to the common bus, gate of first transistor is connected to the drain of second transistor, whose gate is connected to the second resistor and first input terminal, the second input terminal is connected to the common bus

  • SERIES SWITCHING DEVICE BASED ON N-TYPE C-Negatron
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2013
    Co-Authors: Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Войцеховська, Олена Валеріївна, Філинюк, Микола Антонович, Войцеховская, Елена Валериевна, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych, Филинюк, Николай Антонович, Azarova, Olena Valeriivna, Filyniuk, Mykola Antonovych
    Abstract:

    Послідовний комутатор на С-негатроні N-типу містить дві котушки індуктивності, загальну шину, три конденсатори, вхідну клему, вихідну клему, клему керування та С-негатрон N-типу.Последовательный коммутатор на С-негатроне N-типа содержит две катушки индуктивности, общую шину, три конденсатора, входную клемму, выходную клемму, клемму управления и С-негатрон N-типа.A series switching device based on an N-type C-Negatron comprises two inductance coils, a common bus, three capacitances, an input terminal, an output terminal, a control terminal and N-type C-Negatron

  • C-Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на С-негатроні містить джерело живлення, фотодіоди, тиристор, С-негатрон, конденсатор.Нейронный элемент на С-негатроне содержит источник питания, фотодиоды, тиристор, С-негатрон, конденсатор.A C-Negatron-based neuron element comprises a power supply source, photodiodes, a thyristor, C-Negatron, a condenser

  • Negatron-based neuron element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Філинюк, Микола Антонович, Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Филинюк, Николай Антонович, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Filyniuk, Mykola Antonovych, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на негатроні містить світлодіод, джерело живлення з'єднане з катодом першого фотодіода, анод якого з'єднаний з катодом другого фотодіода, з першим виводом конденсатора, причому введено одноперехідний транзистор, другу базу якого з'єднано із джерелом живлення, першу базу одноперехідного транзистора з'єднано з анодом вихідного світлодіода, емітер одноперехідного транзистора з'єднано з першим виводом конденсатора, а також з анодом першого фотодіода, та з катодом другого фотодіода.Нейронный элемент на негатроне содержит светодиод, источник питания соединен с катодом первого фотодиода, анод которого соединен с катодом второго фотодиода, с первым выводом конденсатора, причем введен однопереходный транзистор, вторая база которого соединена с источником питания, первая база однопереходного транзистора соединена с анодом выходного светодиода, эмиттер однопереходного транзистора соединен с первым выводом конденсатора, а также с анодом первого фотодиода, и с катодом второго фотодиода.A Negatron-based neuron element comprises a light-emitting diode, a power supply source connected to a cathode of the first photodiode, which anode is connected to a cathode of the second photodiode, to the first condenser output, and a unijunction transistor is introduced, which the second base is connected to a power supply source, the first base of the unijunction transistor is connected to the anode of the output light-emitting diode, the emitter of the unijunction transistor is connected to the first capacitor lead as well as to the anode of the first photodiode and to the cathode of the second photodiode

  • R-Negatron neural element
    Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2012
    Co-Authors: Лазарєв, Олександр Олександрович, Лазарев, Александр Александрович, Lazarev, Oleksandr Oleksandrovych, Прикмета, Андрій Володимирович, Бондарюк, Денис Володимирович, Прикмета, Андрей Владимирович, Бондарюк, Денис Владимирович, Prykmeta, Andrii Volodymyrovych, Bondariuk, Denys Volodymyrovych
    Abstract:

    Нейронний елемент на R-негатронах містить джерело живлення, яке з'єднано з катодом першого фотодіода, анод якого з'єднано з катодом другого фотодіода, анод другого фотодіода з'єднано з негативним полюсом джерела живлення, причому до нього введено перший польовий транзистор, стік якого з'єднаний із джерелом живлення, витік першого польового транзистора з'єднаний з витоком другого польового транзистора, затвор першого польового транзистора з'єднаний зі стоком другого польового транзистора та зі стоком третього польового транзистора, затвор другого польового транзистора з'єднано з джерелом живлення, витік третього польового транзистора з'єднано з витоком четвертого польового транзистора, стік четвертого польового транзистора з'єднано з негативним полюсом джерела живлення, затвор третього польового транзистора з'єднано з анодом другого фотодіода, затвор четвертого польового транзистора з'єднано зі стоком другого польового транзистора, анод першого фотодіода з'єднано зі стоком третього польового транзистора та з потенціальним виходом.Нейронный элемент на R-негатронах содержит источник питания, соединенный с катодом первого фотодиода, анод которого соединен с катодом второго фотодиода, анод второго фотодиода соединен с отрицательным полюсом источника питания, причем в него введен первый полевой транзистор, сток которого соединен с источником питания, исток первого полевого транзистора соединен с истоком второго полевого транзистора, затвор первого полевого транзистора соединен со стоком второго полевого транзистора и со стоком третьего полевого транзистора, затвор второго полевого транзистора соединен с источником питания, исток третьего полевого транзистора соединен с истоком четвертого полевого транзистора, сток четвертого полевого транзистора соединен с отрицательным полюсом источника питания, затвор третьего полевого транзистора соединен с анодом второго фотодиода, затвор четвертого полевого транзистора соединен со стоком второго полевого транзистора, анод первого фотодиода соединен со стоком третьего полевого транзистора и с потенциальным выходом.An R-Negatron neural element comprises a power source connected to cathode of first photodiode which anode is connected to cathode of second photodiode, which anode is connected to negative terminal of power source. It comprises first field transistor which drain region is connected to power supply, source region of first field transistor is connected to source region of second field transistor, gate region of first field transistor is connected to drain region of second field transistor and to drain region of third field transistor, gate region of second field transistor is connected to power supply, source region of third field transistor is connected to source region of fourth field transistor, drain region of fourth field transistor is connected to negative terminal of power source, gate region of third field transistor is connected to anode of second photodiode, gate region of fourth field transistor is connected to drain region of second field transistor, anode of the fist photodiode is connected to drain region of third field transistor and to potential output